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    關于嵌入式存儲器的問題

    2022-12-09 09:32:10

    先進的邏輯技術已經超過14個nm,遷移到Fin-FET結構,在過去十年或更長時間內用作嵌入式NOR閃存已經失去了跟上這些過程的能力。這種情況被稱為閃存”縮放限定”,不管芯片其余的CMOS能縮小多少。閃存都無法跟上腳步,必須有新的嵌入式存儲技術來結合這些先進技術ASIC和MCU。
     
    內嵌式NOR閃存并不是唯一受到工藝演化影響的。SRAM面臨類似的問題。隨著工藝縮小到幾十納米或更小,SRAM存儲單元的大小無法跟上。NOR閃存不同,SRAM存在的問題是,存儲單元的尺寸不會與工藝成比例地縮小。當工藝減少50%時,可能只會減少25%。
     
    這個限縮了嵌入式NOR和嵌入式 SRAM,我們應該繼續按步驟縮小新存儲單元技術的發展。幸運的是,這些技術已經存在并開發了多年。
     
    另一個問題是,將存儲技術轉化為新的存儲技術帶來了強有力的論據,即存儲器消耗了太多的電力。(IoT)當移動設備使用電池電源運行時,必須仔細選擇其存儲器,因為它消耗大部分電池電源,減少電池使用時間,而新的嵌入式存儲技術可以降低功耗,滿足這一要求。
     
    下一代的移動架構也需要更高的計算水平的人工智能和邊緣計算,而較低的功耗需要滿足客戶的期望,并在嚴峻的市場競爭中獲勝。當然,這些必須以低成本完成,這是對當前內存技術的測試。目前大多數電池電源移動設備和其他應用程序MCU均采用CMOS工藝制造,CMOS這個過程適用于兩種內存技術:NOR閃存和SRAM。盡管這些技術在CMOS在邏輯過程中很容易放置,但它們消耗的功率通常超出預期。
     
    當需要更多的內存時,設計師通常會添加外部內存芯片,例如SPI NOR閃存,NAND閃存,DRAM或者是這些內存的搭配。然而,這些外部內存對功耗的影響更大。
     
    本文關鍵詞:SRAM,NOR閃存,DRAM

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