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    MCU單片機有幾個存儲器

    2022-12-07 09:31:59

    MCU內部存儲器的總數取決于存儲器的分類。主要有兩種存儲器:隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)。但是,根據內存性能的不同,RAM和ROM有不同的類型。這些不同類型的內存適用于各種功能,如高速緩存、主內存、程序內存等。另一方面,存在內存虛擬和物理定義問題。
     
    RAM兩種主要類型是靜態隨機存取存儲器(SRAM)動態隨機存儲器(DRAM)。兩者都必須施加電壓來存儲其信息。DRAM很簡單,基本實現只需要一個晶體管和一個電容器。DRAM它是所有內存技術中最常用的一種。當集成到MCU它被稱為嵌入式DRAM(eDRAM)。與外部存儲器的等效分離DRAM芯片相比,eDRAM每比特的成本更高。即便如此,也會將eDRAM放置于與Cpu同樣的芯片特性優勢仍然超過了高性能應用的成本劣勢。
     
    SRAM比eDRAM復雜,一般由六個晶體管完成。SRAM比DRAM速度快,所以特別適合集成到MCU中間。這是最常用的內部MCU內存技術之一。SRAM通常用作高速緩存和Cpu存儲器。
     
    MCU非易失性存儲器包括閃存和電可擦可編程ROM(EEPROM)。閃存是EEPROM一種形式。管理模式是兩者之間的重要區別;Flash管理(寫入或或擦除),EEPROM可以管理字節級別。閃存適用于NAND和NOR架構。NAND閃存以塊為基準處理數據,讀取速度快于寫入速度。它可以快速傳輸多頁數據。它提供比NOR更高的高密度的單位面積容積。NOR Flash適用于更細粒度的操作,并提供高速隨機訪問。NOR Flash能夠讀寫特定信息。
     
    易失性和非易失性存儲技術可根據幾個特點進行比較:
    速率:易失性內存更快速
    成本:易失性內存成本較低
    使用壽命:易失性存儲器的使用壽命較長。由于其重寫能力,非易失性存儲器的使用壽命有限。
    能耗:DRAM易失性存儲器必須重復數據更新,這將消耗額外的功率。非易失性存儲器通常消耗較少的功率。

    本文關鍵詞:SRAM,MCU

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