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    MCU外設芯片MRAM持久儲存數據比閃存更長

    2022-12-05 09:32:27

    MCU微控制器作為一個需要集成的CPU,SRAM,最常見的存儲方式主要包括非易失性存儲器及其專用外設芯片eDRAM,SRAM易失性存儲器,閃存,EEPROM非易失性存儲器,其中集成閃存是MCU主要特點。隨著時間的推移,閃存逐漸開始成為一種約束MCU提高性能、降低功耗的瓶頸之一。
     
    MRAM數據存儲時間比閃存更長,MRAM與其他新興的非揮發性技術相比,編程人員可以靈活地應用內存。工程師不再需要將程序代碼限制在內NOR大小或限定數據只能在SRAM的大小,不僅優化了設計,而且通過讓同樣的基于MRAM的MCU在多種應用中,可以為一些客戶降低成本。
     
    MRAM技術是STT-MRAM,做為MRAM一種變體,其周圍電子的自旋會影響MTJ極性。以其他方式的MRAM相比,STT-MRAM具有低功耗和進一步擴展的能力,雖然STT-MRAM具有與DRAM和SRAM相當特性,例如電源關閉,信息也不會丟失,和DRAM一樣可隨機存??;可擦寫頻率超過1015次,和DRAM及SRAM相當,大大超過了105次閃存等,但它似乎也可以在10nm完成以下過程,5nm引入技術節點STT-MRAM作為最后一級(L3)緩存存儲器的可行性,所以很多人認為,STT-MRAM會改變“存儲器(硬盤和NAND閃存)是非易失性、更高層次的內存(DRAM及SRAM)為易失性”傳統的計算機架構,是領先的存儲技術之一。


    本文關鍵詞:SRAM,MRAM,DRAM

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