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Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲器，其原理是利用電子自旋的磁性結構，來提供不會產生損耗的非揮發特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息，以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發特性。Everspin是從飛思卡爾半導體公司分離出來的一家獨立公司。2006年，Everspin推出業界第一款商業化MRAM產品。今日，Everspin MRAM已廣泛用在數據存儲、工業自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子領域。
Everspin Technologies MR25H256 / MR25H10 / MR25H40 SPI串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時序，沒有寫入延遲，而且耐讀/寫能力出色。與其他串行存儲器不同，這些存儲器的讀/寫操作可以是隨機的，而且沒有寫入延遲。 采用5 mm x 6 mm 8引腳DFN封裝或5 mm x 6 mm 8引腳DFN Small Flag封裝，并且都與 閃存 、 串行EEPROM和FeRAM產品兼容。
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Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲器，其原理是利用電子自旋的磁性結構，來提供不會產生損耗的非揮發特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息，以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發特性。Everspin是從飛思卡爾半導體公司分離出來的一家獨立公司。2006年，Everspin推出業界第一款商業化MRAM產品。今日，Everspin MRAM已廣泛用在數據存儲、工業自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子領域。
